與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

PN結(jié)的基本特性是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。