單項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入


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1.單項(xiàng)選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布

2.單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定

4.單項(xiàng)選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()

A、6
B、2
C、4
D、5

5.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

最新試題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:單項(xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。

題型:單項(xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:單項(xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項(xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:單項(xiàng)選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()

題型:單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:單項(xiàng)選擇題