改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。