制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列是晶體的是（）。 

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）