判斷題離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度,因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。
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最新試題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:?jiǎn)柎痤}
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}