版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。

試述兩種傳輸線(xiàn)電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。