什么是MOS器件的體效應(yīng)？

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。