材料根據流經材電流的不同可分為三類（）。

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。