20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

版圖設計的基本前提是什么？

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

集成電路電阻可以通過（）產生。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

集成電容主要有幾種結構？