填空題終點(diǎn)檢測(cè)是指（）的一種檢測(cè)到平坦化工藝把材料磨到一個(gè)正確厚度的能力。兩種最常用的原位終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)是（）和（）。
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}