封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。