A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
![](https://static.ppkao.com/ppmg/img/appqrcode.png)
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。