多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)凍融試驗(yàn)箱的溫控要求，正確的有（）。
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過5℃
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1.多項(xiàng)選擇題快凍法砼抗凍試驗(yàn)試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
2.多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
3.多項(xiàng)選擇題快凍法砼抗凍試驗(yàn)試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
4.多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
5.多項(xiàng)選擇題《普通砼長期性能和耐久性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50082-2009標(biāo)準(zhǔn)抗凍試驗(yàn)的試驗(yàn)方法有（）。
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題