屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。