A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
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A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%時(shí),取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
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最新試題
下列是晶體的是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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