A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
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A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測(cè)值的算術(shù)平均值來表示。
D、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時(shí)，此次試驗(yàn)無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后，拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外，應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水，可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜，并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束，以免造成擾動(dòng)
D、從計(jì)時(shí)開始后60min內(nèi)，每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的10%，取中間值。
B、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過中間值的10%，本次試驗(yàn)無效。
C、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的15%，取中間值。
A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
最新試題
下列是晶體的是（）。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）