A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測(cè)值的算術(shù)平均值來表示。
D、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時(shí),此次試驗(yàn)無效。
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A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后,拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束,以免造成擾動(dòng)
D、從計(jì)時(shí)開始后60min內(nèi),每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的10%,取中間值。
B、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過中間值的10%,本次試驗(yàn)無效。
C、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的15%,取中間值。
A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個(gè)試驗(yàn)筒中,做三個(gè)試驗(yàn)
B、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí),振動(dòng)應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗(yàn),整個(gè)貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測(cè)針
D、以貫入阻力28MPa時(shí)不能在試樣表面壓下痕印作為達(dá)到砼終凝狀態(tài)
最新試題
下列是晶體的是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。