鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）