單項(xiàng)選擇題離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成()離子,并通過一個(gè)引出系統(tǒng)形成離子束。
A.正
B.負(fù)
C.中性
D.以上答案都可以
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題在各種離子源常用的放電方式中,EOS是指有()。
A.電子振蕩放電
B.離子自動(dòng)放電
C.低電壓弧光放電
D.雙等離子電弧放電
2.多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中,劇毒的有()。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷
3.單項(xiàng)選擇題離子注入裝置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。
A.中子源
B.離子源
C.電子源
D.質(zhì)子源
4.單項(xiàng)選擇題早期,研究離子注入技術(shù)是用()來進(jìn)行的。
A.重離子加速器
B.熱擴(kuò)散爐
C.質(zhì)子分析儀
D.輕離子分析器
5.單項(xiàng)選擇題()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,Cl+,O+等離子。
A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2
最新試題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感,但對(duì)()光不敏感。
題型:單項(xiàng)選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
題型:多項(xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是()
題型:多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法?
題型:問答題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是()
題型:多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是()
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
題型:單項(xiàng)選擇題