單項選擇題如果磷在二氧化硅中擴(kuò)散,對擴(kuò)散率影響最大的因素是:()。
A.擴(kuò)散劑總量
B.壓強(qiáng)
C.溫度
D.濃度
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1.單項選擇題用電容-電壓技術(shù)來測量擴(kuò)散剖面分布是用了()的原理。
A.pn結(jié)理論
B.歐姆定律
C.庫侖定律
D.四探針技術(shù)
2.單項選擇題在確定擴(kuò)散率的實驗中,擴(kuò)散層電阻的測量可以用()測量。
A.SIMS技術(shù)
B.擴(kuò)展電阻技術(shù)
C.微分電導(dǎo)率技術(shù)
D.四探針技術(shù)
3.單項選擇題在確定擴(kuò)散率的測結(jié)深實驗中,結(jié)深的測量是采用HF和()的混和液對磨斜角進(jìn)行化學(xué)染色的。
A.乙醇
B.HCL
C.H2SO4
D.HNO3
4.單項選擇題我們可以通過簡單的結(jié)深測量和()測量來獲得擴(kuò)散層的重要信息。
A.橫向電阻
B.平均電阻率
C.薄層電阻
D.擴(kuò)展電阻
5.單項選擇題恒定表面濃度的條件下,在整個擴(kuò)散期間,()保持恒定表面濃度。
A.源蒸氣
B.雜質(zhì)和惰性氣體混合物
C.水蒸氣和雜志混合物
D.雜質(zhì)、惰性氣體、水蒸氣混合物
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分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時,判斷其造成原因有()
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()可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進(jìn)行篩選,挑選出唯一需要注入的離子。
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假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
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