A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
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你可能感興趣的試題
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
A.預(yù)
B.再
C.選擇
A.堿性
B.酸性
C.中性
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
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最新試題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。()
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。()
厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。()
絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。()
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?
點(diǎn)缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。()
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()
目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),是晶體管的一個(gè)重要參數(shù),也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。()
位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻模梢允咕w內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位,這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。()