單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個(gè)需要的時(shí)間最長?()

A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長


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1.單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布?()

A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)

2.單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是:()

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

4.單項(xiàng)選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的()。

A.能量
B.劑量

5.多項(xiàng)選擇題硅外延片的應(yīng)用包括()。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路

最新試題

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導(dǎo)率就越高。()

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厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜,比表面積就越大,則表面自由能也就越高,對(duì)燒結(jié)越有利。()

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晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()

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在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。()

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邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。()

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片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好,適于批量生產(chǎn),應(yīng)用越來越普遍。()

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厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。()

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金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí),把膠膜上的金屬一起去除干凈。()

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目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()

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鈀.銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。()

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