單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
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1.單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束
2.單項(xiàng)選擇題離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
3.單項(xiàng)選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
4.多項(xiàng)選擇題硅外延片的應(yīng)用包括（）。
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
5.多項(xiàng)選擇題硅外延生長工藝包括（）。
A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理
最新試題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
題型：判斷題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
題型：判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）
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干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）
題型：判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）
題型：判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：問答題
點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題