單項(xiàng)選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
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1.單項(xiàng)選擇題二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
2.單項(xiàng)選擇題Ⅰ號(hào)液是（）過(guò)氧化氫清洗液.
A.堿性
B.酸性
C.中性
3.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)
4.單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分布？（）
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
5.單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束
最新試題
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）
題型：判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
題型：判斷題
點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題
單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）
題型：判斷題
低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）
題型：判斷題
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
題型：判斷題