問(wèn)答題簡(jiǎn)述部分離子注入工藝的作用。

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最新試題

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

題型：?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

題型：?jiǎn)柎痤}

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

題型：?jiǎn)柎痤}