從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

版圖設計的基本前提是什么？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。