說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。