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集成電路工藝原理章節(jié)練習(2019.04.30)

來源：考試資料網

1.填空題用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分（）、（）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（）。

參考答案：工藝腔；硅片傳輸系統(tǒng)；溫控系統(tǒng)

2.填空題濺射鍍膜方法有（）、（）、（）、（）等。

參考答案：直流濺射；射頻濺射；偏壓濺射；磁控濺射（反應濺射、離子束濺射）

3.判斷題在常規(guī)熱氧化工藝中干氧氧化的速度最快。

4.名詞解釋橫向擴散

參考答案：由于光刻膠無法承受高溫過程，擴散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當原子擴散進入硅片，它們向各個方向運動：假如雜質原子沿硅片表...

5.問答題與普通濺射法相比，磁控濺射的特點是什么？

參考答案：普通濺射法有兩個缺點：一是濺射方法淀積薄膜的速率低；二是所需的工作氣壓較高，這兩者綜合效果是氣體分子對薄膜產生的污染的可...

6.名詞解釋有限表面源擴散

擴散開始時，表面放入一定量的雜質源，而在以后的擴散過程中不再有雜質加入，此種擴散稱為有限源擴散。

7.名詞解釋Fabless

IC設計公司，只設計不生產。

8.判斷題投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。

9.填空題集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。

參考答案：熱擴散；離子注入

10.判斷題步進光刻機的三個基本目標是對準聚焦、曝光和合格產量。