離子從進(jìn)入靶到停止為止走過(guò)的總距離。
所有入射離子的投影射程的平均值。
最新試題
在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
