集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.04.25)
來源：考試資料網(wǎng)1.問答題兩管與非門有哪些缺點，四管及五管與非門的結(jié)構(gòu)相對于兩管與非門在哪些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管與非門對靜態(tài)和動態(tài)有哪些方面的改進。
2.問答題離子注入法有哪些優(yōu)點？
參考答案：摻雜的過程可通過調(diào)整雜質(zhì)劑量及能量來精確控制雜質(zhì)分布，可進行小劑量和極小深度的摻雜較低的工藝溫度，故光刻膠可用作掩膜可供...
參考答案：
最簡單最廉價但其外延層的質(zhì)量不高
4.問答題簡述硅單晶研磨清洗的重要性。
參考答案：
溝道中載流子的遷移率µ和閾值電壓VT隨溫度，所以T升高gm降低。
閾值電壓的絕對值同樣是隨著溫度的升高而減小。
6.問答題集成電路中的無源器件有哪些？
參考答案：
互聯(lián)線、電阻、電容、電感、傳輸線等
7.問答題離子注入后退火的作用是什么？
參考答案：
作用是激活注入的離子，恢復(fù)遷移率及其他材料參數(shù)。
8.問答題什么是負(fù)光刻膠？
參考答案：
負(fù)光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，未曝光區(qū)在顯影中除去，負(fù)膠多由長鏈高分子有機物組成
參考答案：
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
10.問答題什么是贗晶或贗配HEMT？
參考答案：
因為In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象
