半導體材料章節(jié)練習(2019.04.23)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：凈化間是硅片制造設備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、金屬、有機分子和靜電釋放（ESD.的玷污。一般來講，那意味著這些玷污在... 參考答案：（1）SiO2淀積：用PECVD淀積內層氧化硅到希望的厚度。
（2）SiN刻蝕阻擋層淀積... 參考答案：顯示漩渦缺陷，檢測體層錯，位錯，晶體原有的滑移，摻雜劑或雜志濃度周期性變化形成的電阻率條紋等。 參考答案：
一，將掩膜版圖案轉移到硅片表面頂層的光刻膠中
二，在后續(xù)工藝中，保護下面的材料
參考答案：
集電極電流對C-E兩端電壓的微分之比。
參考答案：（1）瞬態(tài)法，也稱穩(wěn)態(tài)法，這類方法有光電導衰退法
（2）穩(wěn)態(tài)法，也稱間接法，這類方法主要有擴散長度法和光磁法.
