半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.05.07)

判斷題
直導(dǎo)體切割電動(dòng)勢的方向可由右手螺旋定則確定。
答案：錯(cuò)誤
單項(xiàng)選擇題
X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
填空題
硅單晶的（）是一個(gè)重要的基本電學(xué)參數(shù)。根據(jù)單晶制備時(shí)所參雜的元素，它們是三價(jià)的還是五價(jià)的，可以將單晶化分為P型和N型兩大類。
答案：導(dǎo)電類型
名詞解釋
光生伏特效應(yīng)
答案：
光生伏特效應(yīng)是指半導(dǎo)體在受到光照射時(shí)產(chǎn)生電動(dòng)勢的現(xiàn)象。
名詞解釋
光電導(dǎo)效應(yīng)
答案：內(nèi)光電效應(yīng)又分光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)。在入射光的作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過渡到自由狀態(tài)，從而引起材料電導(dǎo)率變...
問答題
描述熱氧化過程。
答案：①干氧：Si＋O₂SiO₂
氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、...
名詞解釋
勢壘電容（結(jié)電容）
答案：反向偏置下pn結(jié)的電容。
名詞解釋
霍爾效應(yīng)
答案：定義1：在物質(zhì)中任何一點(diǎn)產(chǎn)生的感應(yīng)電場強(qiáng)度與電流密度和磁感應(yīng)強(qiáng)度之矢量積成正比的現(xiàn)象。
定義2：通過電流的半導(dǎo)...
名詞解釋
發(fā)射極注入效率系數(shù)
答案：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。
單項(xiàng)選擇題
下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)

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半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.05.07)

直導(dǎo)體切割電動(dòng)勢的方向可由右手螺旋定則確定。

X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）

硅單晶的（）是一個(gè)重要的基本電學(xué)參數(shù)。根據(jù)單晶制備時(shí)所參雜的元素，它們是三價(jià)的還是五價(jià)的，可以將單晶化分為P型和N型兩大類。

光生伏特效應(yīng)

光電導(dǎo)效應(yīng)

描述熱氧化過程。

勢壘電容（結(jié)電容）

霍爾效應(yīng)

發(fā)射極注入效率系數(shù)

下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）

半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.05.07)

直導(dǎo)體切割電動(dòng)勢的方向可由右手螺旋定則確定。

X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）

硅單晶的（）是一個(gè)重要的基本電學(xué)參數(shù)。根據(jù)單晶制備時(shí)所參雜的元素，它們是三價(jià)的還是五價(jià)的，可以將單晶化分為P型和N型兩大類。

光生伏特效應(yīng)

光電導(dǎo)效應(yīng)

描述熱氧化過程。

勢壘電容（結(jié)電容）

霍爾效應(yīng)

發(fā)射極注入效率系數(shù)

下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）

X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）

硅單晶的（）是一個(gè)重要的基本電學(xué)參數(shù)。根據(jù)單晶制備時(shí)所參雜的元素，它們是三價(jià)的還是五價(jià)的，可以將單晶化分為P型和N型兩大類。

下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）