如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。