單項(xiàng)選擇題?第一個鍺晶體管是()年發(fā)明?。
A.1946
B.1947
C.1957
D.1958
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1.多項(xiàng)選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種?()
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
2.單項(xiàng)選擇題下列哪個雜質(zhì)允許在硅中存在的?()
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
3.多項(xiàng)選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)有()。
A.對材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高,人才需要大
4.多項(xiàng)選擇題發(fā)明集成電路的公司有()。
A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器
5.單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是()。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
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光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題