問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻膠的概念及目的
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀(guān)檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題