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問(wèn)答題顯影為何要進(jìn)行檢查？

區(qū)分哪些有很低可能性通過(guò)最終掩膜檢驗(yàn)的襯底，提供工藝性能和工藝控制數(shù)據(jù)，以及分揀出需要重做的襯底

1.問(wèn)答題顯影檢查內(nèi)容有哪些？

檢查內(nèi)容：掩膜版選用是否正確、光刻膠層得質(zhì)量是否滿足要求、圖形的質(zhì)量、套刻精度是否滿足要求

2.問(wèn)答題影響顯影的主要因素？

曝光時(shí)間、前烘的溫度和時(shí)間、光刻膠的膜厚、顯影液的濃度、顯影液的溫度、顯影液的攪動(dòng)情況

3.問(wèn)答題光刻工藝包括哪些工藝？

底膜處理、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、刻蝕、去膠、檢驗(yàn)

4.問(wèn)答題何為分辨率、對(duì)比度、IC制造對(duì)光刻技術(shù)有何要求？

5.問(wèn)答題離子注入工藝需要控制的工藝參數(shù)及設(shè)備參數(shù)有哪些？