一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

試說明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

影響顯影工藝的因素有（）。

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）