硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？