問(wèn)答題為什么在相同工藝條件和相同幾何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管?如果相同柵長(zhǎng)的N管和P管要達(dá)到相同的速度,理論上N管和P管要滿足什么條件?
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最新試題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}