單項選擇題集成電路制造工藝中，以下對氧化速率沒有影響的因素是（）。?
A.溫度
B.厚度
C.硅晶向
D.摻雜
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1.單項選擇題集成電路制造工藝中，以下不是熱氧化方法的是（）。?
A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.離子氧化
D.水蒸汽氧化
2.單項選擇題集成電路制造工藝中，二氧化硅膜不能用于（）。?
A.元器件的組成部分（如柵氧化層）
B.源漏極
C.互連層間絕緣介質
D.作為掩蔽膜
