A.峰的位置
B.峰的裂分
C.峰高
D.積分線高度
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A.CH4
B.CH3Br
C.CH3Cl
D.CH3F
A.由于磁的各向異性效應(yīng),使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應(yīng),使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙快質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙快質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.化合物中不同質(zhì)子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質(zhì)子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個數(shù)及位置
A.屏蔽效應(yīng)較弱,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
B.屏蔽效應(yīng)較強,相對化學位移較小,共振峰出現(xiàn)在高場
C.屏蔽效應(yīng)較強,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在低場
D.屏蔽效應(yīng)較強,相對化學位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
A.掃頻下的高頻,掃場下的高場,化學位移δ值較小
B.掃頻下的高頻,掃場下的低場,化學位移δ值較大
C、掃頻下的低頻,掃場下的高場,化學位移δ值較大
D、掃頻下的低頻,掃場下的高場,化學位移δ值較小
最新試題
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