A.由于磁的各向異性效應(yīng),使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應(yīng),使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙快質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙快質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
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A.化合物中不同質(zhì)子的種類(lèi)數(shù)
B.同種類(lèi)H的數(shù)目
C.相鄰碳上質(zhì)子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個(gè)數(shù)及位置
A.屏蔽效應(yīng)較弱,相對(duì)化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
B.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移較小,共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
C.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在低場(chǎng)
D.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
A.掃頻下的高頻,掃場(chǎng)下的高場(chǎng),化學(xué)位移δ值較小
B.掃頻下的高頻,掃場(chǎng)下的低場(chǎng),化學(xué)位移δ值較大
C、掃頻下的低頻,掃場(chǎng)下的高場(chǎng),化學(xué)位移δ值較大
D、掃頻下的低頻,掃場(chǎng)下的高場(chǎng),化學(xué)位移δ值較小
A.化學(xué)位移
B.偶合常數(shù)
C.偶合裂分?jǐn)?shù)
A.質(zhì)荷比
B.波數(shù)
C.偶合常數(shù)
D.保留值
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