單項(xiàng)選擇題下列化合物中，質(zhì)子化學(xué)位移最小的是（）。

A.CH4
B.CH3Br
C.CH3Cl
D.CH3F


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1.單項(xiàng)選擇題乙烯比乙炔質(zhì)子的相對化學(xué)位移要大，主要原因是（）。

A.由于磁的各向異性效應(yīng)，使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應(yīng)，使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應(yīng)，使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)，乙快質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應(yīng)，使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū)，乙快質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)

2.單項(xiàng)選擇題HNMR譜中，不能直接提供的結(jié)構(gòu)信息是（）。

A.化合物中不同質(zhì)子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質(zhì)子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個(gè)數(shù)及位置

3.單項(xiàng)選擇題NMR分析中，質(zhì)子核外電子云密度大的則（）。

A.屏蔽效應(yīng)較弱，相對化學(xué)位移較大，共振峰出現(xiàn)在高場
B.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng)，相對化學(xué)位移較小，共振峰出現(xiàn)在高場
C.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng)，相對化學(xué)位移較大，共振峰出現(xiàn)在低場
D.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng)，相對化學(xué)位移較大，共振峰出現(xiàn)在高場

4.單項(xiàng)選擇題1H核磁共振波譜分析中，受到屏蔽效應(yīng)小的一組H核，其共振信號將出現(xiàn)在（）。

A.掃頻下的高頻，掃場下的高場，化學(xué)位移δ值較小
B.掃頻下的高頻，掃場下的低場，化學(xué)位移δ值較大
C、掃頻下的低頻，掃場下的高場，化學(xué)位移δ值較大
D、掃頻下的低頻，掃場下的高場，化學(xué)位移δ值較小

5.多項(xiàng)選擇題用下列哪一個(gè)或幾個(gè)參數(shù)可以確定分子中基團(tuán)的連接關(guān)系？（）

A.化學(xué)位移
B.偶合常數(shù)
C.偶合裂分?jǐn)?shù)