利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖設計的基本前提是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。