集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。