規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。