硅片拋光在原理上不可分為（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。