改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。