單項選擇題推出法不宜用于當水平灰縫的砂漿飽滿度低于（）的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
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1.單項選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應小于（），且應為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
2.單項選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
3.單項選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
4.單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應力、彈性模量可采用（）。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
5.單項選擇題對既有建筑物或應委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題