在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

PN結的基本特性是（）